Vật liệu bán dẫn perovskite là hợp chất có dải cấm có thể điều chỉnh trong khoảng từ 1bongdaso truc tuyen,2 eV đến 3,2 eV thông qua việc thay đổi thành phần. Khi điều chỉnh dải cấm của vật liệu perovskite gần với 1,68 eV, kết hợp với vật liệu silic tinh thể đơn có dải cấm là 1,12 eV thông qua công nghệ ghép lớp, perovskite sẽ đóng vai trò lớp trên, hấp thụ các photon có bước sóng ngắn và năng lượng cao, trong khi silic sẽ là lớp dưới, hấp thụ các photon có bước sóng dài và năng lượng thấp. Việc các tế bào con có dải cấm khác nhau hấp thụ các dải quang phổ khác nhau giúp giảm tổn thất do sự mất cân bằng nhiệt của hạt mang điện, từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin mặt trời.

Hiệu suất lý thuyết tối đa của pin mặt trời silic đơn tinh thể là 29bongdaso truc tuyen,4%, trong khi hiệu suất thực nghiệm trong phòng thí nghiệm hiện tại đạt 26,7%, và hiệu suất trung bình cao nhất của pin sản xuất hàng loạt khoảng 24,5%. Trong khi đó, hiệu suất lý thuyết tối đa của pin mặt trời ghép lớp perovskite/silic đơn tinh thể có thể lên tới 42,5%, và hiệu suất thực nghiệm đã đạt 29,52%, vượt xa giới hạn lý thuyết của pin mặt trời silic đơn tinh thể.

Hiện tạiĐăng Ký 99bet, theo kết quả kiểm định từ Viện Đo lường Trung Quốc, hiệu suất ổn định đầu ra của pin mặt trời ghép lớp perovskite/silic nhỏ do Saonergy tự nghiên cứu phát triển đã đạt mức 32,44%.