Vật liệu bán dẫn perovskite là một hợp chấtnhà cái 888b, dải năng lượng của nó có thể điều chỉnh trong khoảng từ 1,2 eV đến 3,2 eV thông qua việc thay đổi thành phần. Khi điều chỉnh dải năng lượng của vật liệu perovskite gần 1,68 eV, kết hợp với vật liệu silic tinh thể đơn có dải năng lượng khoảng 1,12 eV thông qua công nghệ ghép lớp, perovskite sẽ đóng vai trò lớp trên hấp thụ ánh sáng bước sóng ngắn và năng lượng cao, trong khi silic sẽ là lớp dưới hấp thụ ánh sáng bước sóng dài và năng lượng thấp. Việc các tế bào con hấp thụ các dải quang phổ khác nhau giúp giảm tổn thất do sự giải phóng điện tử nhiệt, từ đó nâng cao hiệu quả chuyển đổi quang điện của pin mặt trời một cách hiệu quả.

Hiệu suất lý thuyết tối đa của pin mặt trời silic tinh thể đơn là 29nha cai uy tin,4%, trong khi hiệu suất thực nghiệm ghi nhận được là 26,7%, và hiệu suất trung bình cao nhất của pin sản xuất hàng loạt chỉ đạt khoảng 24,5%. Trong khi đó, hiệu suất lý thuyết tối đa của pin mặt trời ghép lớp perovskite/silic có thể lên tới 42,5%, và hiệu suất thực nghiệm đã đạt tới 29,52%, vượt qua cả giới hạn lý thuyết của pin silic tinh thể đơn.

Hiện tạibongdaso truc tuyen, theo kết quả kiểm định từ Viện Đo lường Trung Quốc, hiệu suất đầu ra ổn định của pin mặt trời ghép lớp perovskite/silic nhỏ do Doanh nghiệp Yêu Năng tự nghiên cứu phát triển đã đạt tới 32,44%.